국내 연구진이 디램(DRAM) 및 낸드(NAND) 플래시 메모리를 대체할 초저전력 차세대 상변화 메모리 소자를 개발했다. 한국과학기술원(KAIST)은 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 공정비용이 낮고 초저전력 동작이 가능해 기존 메모리를 대체하거나 차세대 인공지능 하드웨어를 위한 뉴로모픽 컴퓨팅 구현에 사용될 소자 개발에 성공했다고 4일 밝혔다. 기존 상변화 메모리는 값비싼 초미세 반도체 노광공정을 통해 제작하며 소모 전력이 높은 문제점이 있었다. 이에 연구팀은 상변화 물질을 전기적으로 극소 형성하는 방식을 통해 제작한 초저전력 상변화 메모리 소자로 값비싼 노광공정 없이도 매우 작은 나노미터(㎚, 1㎚=100억분의 1m) 스케일의 상변화 필라멘트를 자체적으로 형성했다. 이는 공정비용이 매우 낮을 뿐 아니라 초저전력 동작이 가능하다는 장점이 있다. 현재 널리 사용되고 있는 메모리인 디램은 속도가 매우 빠르지만 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 휘발성 특징을 갖고 있다. 저장장치로 사용되는 낸드 플래시 메모리는 읽기·쓰기 속도는 상대적으로 느린 대신 전원이 꺼져도 정보를 보존하는 비휘발성 특징이 있다. 반면 상변화 메모리는 디램과 낸드 플래시 메모리의 장점을 모
삼성전자는 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128기가바이트(GB) CXL D램을 개발했다고 12일 밝혔다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 중앙처리장치(CPU)와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스를 말한다. 삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 1.1 기반 CXL D램을 개발한 데 이어 1년 만에 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램을 개발해 차세대 메모리의 상용화 시대를 앞당겼다. 이번 제품은 PCIe(고속 입출력 인터페이스) 5.0(x 8레인)을 지원하며, 초당 최대 35GB의 대역폭을 제공한다. 특히 업계 최초로 '메모리 풀링(Pooling)' 기능을 지원한다. 메모리 풀링은 서버 플랫폼에서 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 여러 호스트가 풀에서 메모리를 필요한 만큼 나눠 사용할 수 있는 기술로, CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있게 해준다. 고객이 이 기술을 데이터센터에 적용하면 보다 효율적인 메모리 사용이 가능해 서버 운영비를 절감할 수 있다. 절감한 운영비를 서버의 메모리에 재투자하는 등 선순환 구조도 이어질 것으로 기대된다. CX
다양한 분야에서의 협력 방안에 대해 의견을 나누며 릴레이 회의 이재용 삼성전자 부회장은 30일 방한 중인 팻 겔싱어(Patrick Gelsinger) 인텔 CEO를 만나 양사 간 협력 방안을 논의했다고 30일 밝혔다. 이 부회장과 겔싱어 CEO는 양사 경영진이 참석한 가운데 △차세대 메모리 △팹리스 시스템반도체 △파운드리 △PC 및 모바일 등 다양한 분야에서의 협력 방안에 대해 의견을 나누며 릴레이 회의를 했다. 이 자리에는 경계현 삼성전자 DS부문장, 노태문 MX사업부장, 이정배 메모리사업부장, 최시영 파운드리사업부장, 박용인 시스템LSI사업부장 등이 배석했다. 헬로티 김진희 기자 |
“레드햇과 협력해 차세대 메모리 분야에서 하드웨어와 소프트웨어의 기술 표준화와 함께 안정적인 에코시스템을 구축할 수 있을 것” 삼성전자가 글로벌 오픈소스 솔루션 선도 기업 레드햇(Red Hat)과 차세대 메모리 분야 소프트웨어 기술 관련 상호 협력을 결정했다고 25일 밝혔다. 두 회사는 NVMe SSD, CXL 메모리, 컴퓨테이셔널 메모리/스토리지(Computational Memory/Storage), 패브릭(Fabrics) 등 차세대 메모리 솔루션 기술 관련 소프트웨어 개발과 에코시스템 확대를 위해 협력할 계획이다. 또 삼성전자가 개발하는 메모리 소프트웨어 기술이 레드햇 리눅스를 포함한 오픈소스 소프트웨어에서 지원할 수 있도록 협력하고 검증과 프로모션을 함께 진행한다. 인공지능(AI), 머신러닝(ML), 메타버스(Metaverse) 등 첨단 산업의 발전으로 인해 데이터 사용량이 폭발적으로 증가함에 따라 데이터센터에서 메모리/스토리지 활용의 패러다임도 변화하고 있다. 두 회사는 급증하는 데이터의 안정적인 저장, 처리를 위해 CXL, PIM 등 차세대 메모리를 활용할 수 있는 기술과 함께 여러 개의 메모리/스토리지를 묶어 가상화하는 패브릭까지 포함할 소프트웨어
삼성전자가 업계 최초로 고용량 512GB CXL D램을 개발하고, 차세대 메모리 상용화를 앞당겼다. CXL(Compute Express Link)은 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, 메모리, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 제안된 인터페이스이다. 삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 기반 D램 기술을 개발하고 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 평가를 해왔으며, 이번에 기존 대비 메모리 용량을 4배 향상시킨 512GB CXL D램을 개발했다. 또한 ASIC (주문형 반도체) 기반의 컨트롤러를 탑재해 데이터 지연 시간을 기존 제품 대비 1/5로 줄였다. 이번 제품은 PCIe 5.0을 지원하며, 대용량 SSD에 적용되는 EDSFF (Enterprise & Data Center Standard Form Factor) 폼팩터가 적용돼 기존 컴퓨팅 시스템의 D램 용량을 획기적으로 확장할 수 있다. 최근 메타버스, 인공지능, 빅데이터 등 폭발적으로 증가하는 데이터 양에 비해 기존의 DDR 인터페이스는 시스템에 탑재할 수 있는 D램 용량에 한계가 있어, CXL D램과 같은 차세대 메모리 솔루션에 대한 요구가 지속되고
헬로티 이동재 기자 | 키사이트테크놀로지스가 설계 시간을 단축시키고 DDR5, LPDDR5, GDDR6 메모리 시스템 제품 개발 시 리스크를 없애 주는 워크플로우 솔루션 ‘PathWave 고급 설계 시스템(ADS) 2022’를 발표했다. 클라우드 컴퓨팅부터 자율주행 차량까지 더 빠른 메모리 인터페이스에 대한 요구는 점점 증가하고 있다. DDR5, LPDDR5 및 GDDR6과 같은 고속 인터페이스의 획기적인 기술은 메모리 칩의 수신기에서 이퀄라이제이션을 수행한다는 특징이 있다. 인쇄 회로 보드(PCB)를 지나는 경로를 통해 저하된 신호를 복구하는데, 이때 하드웨어 엔지니어는 메모리 버스 설계에서 신호 무결성 문제 가능성을 최소화해야 하기 때문에, 이퀄라이제이션 후의 신호 품질을 예측하고 설계를 프로토타이핑하고 성능을 테스트해야 한다. 차세대 메모리를 위한 설계 및 테스트 워크플로우인 키사이트 PathWave ADS 2022는 하드웨어 엔지니어가 출시 요구사항을 충족하고 뛰어난 성능의 믿을 수 있는 최종 제품을 제공하도록 돕는다. PathWave ADS 2022의 Memory Designer는 먼저, 유연한 이퀄라이제이션과 외부 클럭 입력으로 DDR 송신기와 수
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